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2N729

更新时间: 2024-02-16 11:04:29
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18

2N729 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):20最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2N729 数据手册

  
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