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2N7288R4

更新时间： 2024-01-30 19:49:27

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

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2N7288R4 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	RADIATION HARDENED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.415 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	R-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON

2N7288R4 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7289	RENESAS	6A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	获取价格
2N7289D1	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,6A I(D),TO-204AA	获取价格
2N7289D2	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-204AA	获取价格
2N7289D3	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-204AA	获取价格
2N7289D4	RENESAS	6A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	获取价格
2N7289H1	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,6A I(D),TO-204AA	获取价格

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