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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7289D2 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7289D3 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7289D4 | RENESAS | 6A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N7289H1 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,6A I(D),TO-204AA |
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| 2N7289H2 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA |
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| 2N7289H3 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,6A I(D),TO-204AA |
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