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2N7002VA-7

更新时间: 2024-01-02 14:13:40
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

2N7002VA-7 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:6.98Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.28 A
最大漏极电流 (ID):0.28 A最大漏源导通电阻:13.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N7002VA-7 数据手册

 浏览型号2N7002VA-7的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002VA-7的Datasheet PDF文件第2页 
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TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
Fig. 1, Derating Curve - Total  
DS30448 Rev. 3 - 2  
3 of 3  
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