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2N7002PW,115

更新时间： 2024-01-21 04:03:05

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
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15页	139K
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2N7002PW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

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技术参数
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2N7002PW,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	7.93
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.31 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.83 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

2N7002PW,115 数据手册

2N7002PW

NXP Semiconductors

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

017aaa021

017aaa022

1.0

2.4

1.8

1.2

0.6

0.0

(A)

0.8

(1)

(2)

0.6

0.4

0.2

0.0

(2)

(1)

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

(V)

−60

120

180

(°C)

amb

V_DS> I_D× R_DSon

(1) T_amb= 25 °C

(2) T_amb= 150 °C

Fig 10. Transfer characteristics: drain current as a

function of gate-source voltage; typical values

Fig 11. Normalized drain-source on-state resistance as

a function of ambient temperature; typical

values

017aaa023

017aaa024

3.0

GS(th)

(V)

(1)

(2)

(3)

(1)

(pF)

2.0

1.0

0.0

(2)

(3)

−1

−60

120

180

(°C)

(V)

amb

f = 1 MHz; V_GS= 0 V

(1) C_iss

I_D= 0.25 mA; V_DS= V_GS

(1) maximum values

(2) typical values

(2) C_oss

(3) C_rss

(3) minimum values

Fig 12. Gate-source threshold voltage as a function of

ambient temperature

Fig 13. Input, output and reverse transfer capacitances

as a function of drain-source voltage; typical

values

2N7002PW

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Product data sheet

Rev. 02 — 29 July 2010

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