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2N7002T 　

更新时间： 2024-10-15 14:54:03

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	711K
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场效应晶体管

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2N7002T 　技术参数

极性：	N channel	Pd(W)：	0.15
V(BR)DS_min(V)：	60	ID_max(A)：	0.115
Rds_max(Ω）：	7.5	@VGS(V)：	5
VTH(GS)：	1~2	PACKAGE：	SOT-523
class：	Transistors

2N7002T 　数据手册

2N7002T

Small Signal MOSFET Transistor

FEATURES



Low on-resistance.

Low gate threshold voltge.

Low input capacitance.

Fast switching speed.

Low input/output leakage.

APPLICATIONS



N-channel enhancement mode effect transistor.

Switching application.

SOT-523

ORDERING INFORMATION

Type No.

2N7002T

Marking

Package Code

SOT-523

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

V_DSS

Drain-Source voltage

Drain-Gate voltage(R_GS≤1MΩ)

V_DGR

±20

±40

115

Gate -Source voltage

- continuous

V_GSS

I_D

-Non Repetitive (t_p<50μs)

Maximum Drain current -continuous

-Pulsed

800

P_D

Power Dissipation

150

833

R_θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient

℃/W

T_J, Tstg

Junction and Storage Temperature

-55 to +150

℃

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7002-T	MCC	获取价格	Transistor
2N7002-T	NXP	获取价格	300mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
2N7002T,215	NXP	获取价格	2N7002T - N-channel TrenchMOS logic level FET TO-236 3-Pin
2N7002T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 115MA I(D) \| TO-236AB
2N7002T_09	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002T_1	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002T_10	SECOS	获取价格	N-Channel Enhancement MOSFET
2N7002T_11	SECOS	获取价格	0.115A , 60V , RDS(ON) 7.2Ω N-Channel Enhance
2N7002T_12	UTC	获取价格	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
2N7002T_15	UTC	获取价格	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING