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2N7000-D74Z

更新时间： 2024-01-19 20:59:33

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安森美 - ONSEMI		开关小信号场效应晶体管
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4页	61K
描述
N沟道增强模式场效应晶体管60V，200mA，5Ω

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2N7000-D74Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000-D74Z 数据手册

2N7000

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

= 10 V

= 25°C

25°C

-ā55°C

0.8

0.6

0.4

0.2

= 10 V

9 V

125°C

8 V

7 V

6 V

5 V

4 V

3 V

1.0 2.0 3.0 4.0 5.0

6.0

7.0 8.0 9.0 10

1.0 2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

9.0 10

V , DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

V , GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 1. Ohmic Region

Figure 2. Transfer Characteristics

2.4

1.2

1.05

1.1

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

V = V

DS GS

= 10 V

= 1.0 mA

= 200 mA

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-ā60

-ā20

+ā20

+ā60

+ā100

+ā140

-ā60

-ā20

+ā20

+ā60

+ā100

+ā140

T, TEMPERATURE (°C)

Figure 3. Temperature versus Static

Drain–Source On–Resistance

Figure 4. Temperature versus Gate

Threshold Voltage

ORDERING INFORMATION

Device

Package

TO–92

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2N7000

1000 Unit/Box

2N7000RLRA

2N7000RLRM

2N7000RLRP

2N7000ZL1

2000 Tape & Reel

2000 Ammo Pack

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