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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-61 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6692 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| 2N6693 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| 2N6693 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6693E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N6701 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X |
|
| 2N6702 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6702 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6702 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-CURRENT, SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS |
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| 2N6702-6200 | RENESAS |
获取价格 |
7A, 90V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6702-6203 | RENESAS |
获取价格 |
7A, 90V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
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