2N6465

更新时间： 2024-02-23 02:44:01

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6465 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	TO-66, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5 MHz	Base Number Matches：	1

2N6465 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6465 2N6466

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

100

120

TYP.

MAX

UNIT

2N6465

2N6466

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=50mA ;I_B=0

V_CEsat

Collector-emitter saturation voltage I_C=1.5A; I_B=0.15A

1.2

1.5

V_BE

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

I_C=1.5A ; V_CE=4V

V_CB=110V; I_E=0

2N6465

2N6466

2N6465

2N6466

I_CBO

μA

_CB=130V; I_E=0

V_CE= 100V,I_B=0

I_CEO

Collector cut-off current

100

μA

_CE= 120V,I_B=0

I_EBO

h_FE

f_T

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=5V; I_C=0

I_C=1.5A ; V_CE=4V

I_C=0.5A ; V_CE=10V

150

Transition frequency

MHz

123

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