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2N6395

更新时间： 2024-01-22 08:29:27
品牌 Logo 应用领域
DCCOM 栅极可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

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2N6395 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.68
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：15 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：40 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：100 V重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

2N6395 数据手册

  
2N6395  
THRU  
2N6398  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON CONTROLLED RECTIFIERS  
VOLTAGE RANGE - 100 to 600 Volts CURRENT - 12 Amperes  
Description  
* Driven directly with IC and MOS device  
* Feature proprietary, void-free glass passivated chips  
* Available in voltage ratings from 100 to 600 volts  
* Non-sensitive gate trigger current  
* Designed for high volume, line-powered control  
application in relay lamp drivers, small motor controls,  
gate drivers for large thyristors  
TO-220AB  
.185(4.70)  
.173(4.40)  
.405(10.28)  
.380(9.66)  
Pinning  
1 = Cathode, 2 = Anode, 3 = Gate  
.151  
(3.83)  
Typ  
.055(1.39)  
.045(1.15)  
.295(7.49)  
.220(5.58)  
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)  
.625(15.87)  
.570(14.48)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
.350(8.90)  
.330(8.38)  
.640  
Typ  
2N6395  
2N6396  
2N6397  
2N6398  
100  
200  
400  
600  
(16.25)  
Peak Repetitive Off-State  
Voltage and Reverse Voltage  
VDRM,  
VRRM  
1
2
3
On-State RMS Current  
(TA=57oC, 180o Conduction Angles)  
IT(RMS)  
ITSM  
12  
A
A
.562(14.27)  
.500(12.70)  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
Peak Non-repetitive Surge Current  
(1/2 Cycle, Sine Wave 60Hz)  
100  
.037(0.95)  
.030(0.75)  
Forward Peak Gate Current  
IGM  
PGM  
PG(AV)  
TJ  
2.0  
20  
A
.024(0.60)  
.014(0.35)  
.100  
(2.54)  
Typ  
Forward Peak Gate Power Dissipation  
Forward Average Gate Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
W
oC  
oC  
0.5  
-40 to +110  
-40 to +150  
Dimensions in inches and (millimeters)  
TSTG  
Electrical Characteristics  
(Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified)  
Characteristic  
Peak Repetitive Forward or Reverse  
Off-State Blocking Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
10  
2000  
2.2  
20  
2.0  
50  
-
Unit  
Test Conditions  
VAK=Rated VDRM or VRRM  
RGK=1KΩ  
TJ=25oC  
IDRM, IRRM  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
µA  
TJ=110oC  
Peak Forward On-State Voltage  
Continuous DC Gate Trigger Current  
Continuous DC Gate Trigger Voltage  
DC Holding Current  
VTM  
IGT  
-
V
ITM=12A Peak  
VAK=7V DC, RL=100Ω  
VAK=7V DC, RL=100Ω  
RGK=1KΩ  
-
mA  
VGT  
IH  
-
V
-
mA  
Critical Rate-of-Rise of Off-State Voltage  
Gate Controlled Turn-on Time(tD+tR)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
dv/dt  
Tgt  
50  
2.2  
2.0  
V/µS  
µsec  
oC/W  
RGK=1KΩ  
-
IGT=10mA  
RθJC  
-
-
1

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