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2N6261

更新时间： 2024-02-12 23:47:20

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	111K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6261 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	TO-66, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.09
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz	Base Number Matches：	1

2N6261 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6261

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

V_BE

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage I_C=0.1 A ; I_B=0

Collector-emitter saturation voltage I_C=1.5A; I_B=0.15A

0.5

1.5

Base -emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=1.5A ; V_CE=2V

V_CE=80V;V_BE(off)=-1.5V

T_C=150ꢀ

0.5

1.0

I_CEV

I_CEO

V_CE=60V; I_B=0

V_EB=7V; I_C=0

0.5

0.2

I_EBO

h_FE-1

I_C=4A ; V_CE=2V

I_C=1.5A ; V_CE=2V

h_FE-2

DC current gain

100

123

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