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2N6262

更新时间： 2024-01-28 12:05:52

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	110K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6262 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	0.08 MHz	Base Number Matches：	1

2N6262 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6262

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for audio amplifier and

switching circuits applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

170

UNIT

Open base

150

Open collector

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

ꢀ

T_j

150

T_stg

-65~200

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

ꢀ/W

12 3

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