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2N6270

更新时间： 2024-02-04 22:11:57

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6270 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	75 MHz
Base Number Matches：	1

2N6270 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6270 2N6271

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High current capability

·Wide safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for audio amplifier and

switching circuits applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

100

UNIT

2N6270

2N6271

2N6270

2N6271

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

120

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

℃/W

12 3

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