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2N6230

更新时间： 2024-02-14 01:56:22

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6230 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	600 pF
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
VCEsat-Max：	2 V

2N6230 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6229 2N6230 2N6231

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-100

-120

-140

TYP.

MAX

UNIT

2N6229

2N6230

2N6231

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=-0.2A ;I_B=0

V_CEsat

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

2N6229

I_C=-4A; I_B=-0.4A

-1.0

-2.0

-5.0

-1.0

-0.1

100

V_BE

I_C=-5A ; V_CE=-2V

V_CE=Rated V_CEO; I_B=0

V_CB=Rated V_CBO; I_E=0

V_EB=-7V; I_C=0

I_CEO

I_CBO

I_EBO

h_FE

DC current gain

I_C=-5A ; V_CE=-2V

2N6230

2N6231

f_T

Transition frequency

I_C=-0.5A ; V_CE=-4V

MHz

123

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与2N6230相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6230E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N6230LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N6231	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N6231	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N6231	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 140V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3	获取价格
2N6231	CENTRAL	SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格