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2N6106

更新时间: 2024-09-26 20:53:59
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
9页 486K
描述
7A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA

2N6106 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.06
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7 A基于收集器的最大容量:250 pF
集电极-发射极最大电压:70 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):2.3JEDEC-95代码:TO-213AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:40 W最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10 MHz
VCEsat-Max:3.5 VBase Number Matches:1

2N6106 数据手册

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