Datasheet > 2N6107

2N6107

更新时间： 2024-01-31 09:13:36

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	447K
描述
PNP Silicon Complementary Power Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6107 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6107 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

2N6107

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates

PNP Silicon

Complementary

Power Transistor

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

•

Marking:2N6107

Maximum Ratings*

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

TO-220

5.0

Collector Current, Continuous

Peak

Base Current

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

7.0

3.0

I_C

I_B

T_J

T_STG

-55 to +150

^OC

Thermal Characteristics

Symbol

Rating

Max

0.32

3.125

Unit

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25^OC

W/^OC

^OC/W

R_JC

Thermal Resistance, Junction to Case

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_CEO(sus)

(Note 2)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I =100mAdc, I =0)

---

Vdc

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

BASE

COLLECTOR

EMITTER

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0)

CEO

1.0

mAdc

I_CEX

Collector Cutoff Current

(V_CE=80Vdc, V_EB(off)=1.5Vdc)

---

100

2.0

DIMENSIONS

(V_CE=70Vdc, V_EB(off)=1.5Vdc, T_C=125 ^OC)

Emitter Cutoff Current

INCHES

MIN

14.22

9.65

MAX

15.88

10.67

NOTE

DIM

MIN

MAX

.625

I_EBO

.560

.380

.140

(V_EB=5.0Vdc, I =0)

---

1.0

mAdc

---

.420

.190

ON CHARACTERISTICS⁽¹⁾

3.56

4.82

.020

.139

.190

---

.045

.161

.110

.250

.025

0.51

3.53

2.29

---

1.14

4.09

2.79

6.35

0.64

h_FE

DC Current Gain

(V_CE=4.0Vdc, I_C=2.0Adc)

(V_CE=4.0Vdc, I_C=7.0Adc)

2.3

150

---

.012

0.30

V_CE(sat)

V_BE(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Vdc

.500

.045

.580

.060

12.70

1.14

14.73

1.52

(I =7.0Adc, I_B=3.0Adc)

---

3.5

3.0

Base-Emitter On Voltage

(I =7.0Adc, V_CE=4.0Vdc)

.190

.210

4.83

5.33

.100

.080

.045

.230

-----

.135

.115

.055

.270

.050

-----

2.54

2.04

1.14

5.84

-----

3.43

2.92

1.39

6.86

1.27

-----

*Indicates JEDEC Registered Data

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

y Cycle<2.0%

2. Pulse Test: Pulse Width<300us, Dut

.045

1.15

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

下载PDF

与2N6107相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6107/D	ETC	Complementary Silicon Plastic Power Transistors	获取价格
2N6107_11	ONSEMI	7 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILI	获取价格
2N610716	MOTOROLA	7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6107-6200	RENESAS	7A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6107-6203	RENESAS	7A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6107-6206	RENESAS	7A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6107

2N6107 技术参数

2N6107 数据手册

与2N6107相关器件

与2N6107相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6107

2N6107 技术参数

2N6107 数据手册

与2N6107相关器件

与2N6107相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？