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2N6107

更新时间： 2024-01-14 21:19:30

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美微科 - MCC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	447K
描述
PNP Silicon Complementary Power Transistor

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2N6107 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6107 数据手册

M C C

2N6107

Micro Commercial Components

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

DYNAMICCHARACTERISTICS

f_T

Current Gain- Bandwidth Product⁽²⁾

MHz

(I_C=500mAdc, V_CE=4.0Vdc, f=1.0MHz )

Output Capacitance

---

250

---

(V_CE=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)

Small-Signal Current Gain

(I_C=0.5Adc, V_CE=4.0Vdc, f=50KHz )

---

(2) f_T=|hfe| X f_test

2.0

1.0

= 25°C

= 30 V

I /I = 10

0.7

0.5

C B

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

@ V

≈ 5.0 V

BE(off)

0.03

0.02

0.07 0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

100

120

140

160

T , CASE TEMPERATURE (°C)

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 1. Power Derating

Figure 2. Turn–On Time

5.0

300

200

3.0

2.0

= 25°C

= 30 V

= 25°C

I /I = 10

C B

= I

1.0

0.7

0.5

B1 B2

100

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.5

0.07 0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

1.0

2.0 3.0

5.0

20 30

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 3. Turn–Off Time

Figure 4. Capacitance

www.mccsemi.com

2 of 3

Revision: A

2011/01/01

123

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