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2N60G-X-TMA-T

更新时间： 2024-01-28 22:09:14

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6页	219K
描述
2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60G-X-TMA-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-252D, 3/2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	13 pF	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	44 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	180 ns
最大开启时间（吨）：	115 ns	Base Number Matches：	1

2N60G-X-TMA-T 数据手册

2N60

Power MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25°С, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

2N60-A

2N60-B

600

650

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

Gate-Source Leakage Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= 600V, V_GS= 0V

V_GS= 30V, V_DS= 0V

μA

Forward

Reverse

100 nA

-100 nA

I_GSS

V_GS= -30V, V_DS= 0V

I_D= 250 μA, Referenced to

25°C

Breakdown Voltage Temperature Coefficient

△BV_DSS/△T_J

0.4

3.8

V/°С

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

R_DS(ON)

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

2.0

4.0

Static Drain-Source On-State Resistance

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

V_GS= 10V, I_D=1A

Ω

C_ISS

C_OSS

C_RSS

270 350 pF

_DS=25V, V_GS=0V,f =1MHz

_DD=300V, I_D=2.4A,

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

t_{D (ON)}

t_R

t_D(OFF)

t_F

Turn-On Rise Time

R_G=25Ω

(Note 1, 2)

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

Q_G

9.0

1.6

4.3

V_DS=480V, V_GS=10V,

I_D=2.4A

(Note 1, 2)

Gate-Source Charge

Q_GS

Q_GD

Gate-Drain Charge

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

Continuous Drain-Source Current

Pulsed Drain-Source Current

Reverse Recovery Time

V_SD

I_SD

V_GS= 0 V, I_SD= 2.0 A

1.4

2.0

8.0

I_SM

t_RR

V_GS= 0 V, I_SD= 2.4A,

180

μC

di/dt = 100 A/μs (Note1)

Reverse Recovery Charge

Q_RR

0.72

Notes: 1. Pulse Test: Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle≤2%

2. Essentially independent of operating temperature

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 6

QW-R502-053,Ma

www.unisonic.com.tw

1 234 5 6

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与2N60G-X-TMA-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N60G-X-TN3-R	UTC	2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N60I	LGE	场效应晶体管	获取价格
2N60K	UTC	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
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2N60KG-T92-K	UTC	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N60KG-T92-R	UTC	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格