2N60G-TMA-T

更新时间： 2024-02-08 00:57:55

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描述
2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60G-TMA-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-252D, 3/2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	13 pF	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	44 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	180 ns
最大开启时间（吨）：	115 ns	Base Number Matches：	1

2N60G-TMA-T 数据手册

2N60

Power MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25°С, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= 600V, V_GS= 0V

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_GS= -30V, V_DS= 0V

600

μA

Forward

Reverse

100 nA

-100 nA

V/°С

Gate-Source Leakage Current

I_GSS

Breakdown Voltage Temperature Coefficient △BV_DSS/△T_JI_D=250μA, Referenced to 25°C

0.4

3.6

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

R_DS(ON)

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

2.0

4.0

Static Drain-Source On-State Resistance

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

V_GS= 10V, I_D=1A

Ω

C_ISS

C_OSS

C_RSS

270 350 pF

V_DS=25V, V_GS=0V,

f =1MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

t_{D (ON)}

t_R

t_D(OFF)

t_F

Turn-On Rise Time

V_DD=300V, I_D=2.4A,

R_G=25Ω (Note 1, 2)

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

Q_G

9.0

1.6

4.3

V_DS=480V, V_GS=10V,

I_D=2.4A (Note 1, 2)

Gate-Source Charge

Q_GS

Q_GD

Gate-Drain Charge

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

Continuous Drain-Source Current

Pulsed Drain-Source Current

Reverse Recovery Time

V_SD

I_SD

I_SM

t_rr

V_GS= 0 V, I_SD= 2.0 A

1.4

2.0

8.0

180

μC

V_GS= 0 V, I_SD= 2.4A,

di/dt = 100 A/μs (Note 1)

Reverse Recovery Charge

Q_RR

0.72

Notes: 1. Pulse Test: Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle≤2%

2. Essentially independent of operating temperature

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 6

QW-R502-053.P

www.unisonic.com.tw

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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