2N60G-TMA-T

更新时间： 2024-02-18 22:11:19

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2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60G-TMA-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-252D, 3/2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	13 pF	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	44 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	180 ns
最大开启时间（吨）：	115 ns	Base Number Matches：	1

2N60G-TMA-T 数据手册

2N60

Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25°С, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_AR

RATINGS

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±30

Avalanche Current (Note 2)

2.0

Continuous

I_D

2.0

Drain Current

Pulsed (Note 2)

I_DM

8.0

Single Pulsed (Note 3)

Repetitive (Note 2)

E_AS

140

V/ns

Avalanche Energy

E_AR

4.5

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4)

TO-220/ TO-262

dv/dt

4.5

TO-220F/TO-220F1

Power Dissipation

P_D

(T_C= 25°С)

TO-251/TO-251L/TO-252

TO-126

Junction Temperature

Operating Temperature

Storage Temperature

T_J

+150

-55 ~ +150

°С

T_OPR

T_STG

Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. Repetitive Rating : Pulse width limited by T_J

3. L=64mH, I_AS=2.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω, Starting T_J= 25°C

4. I_SD≤2.4A, di/dt≤200A/μs, V_DD≤ BV_DSS, Starting T_J= 25°C

THERMAL DATA

PARAMETER

PACKAGE

SYMBOL

RATINGS

62.5

100

UNIT

°С/W

TO-220/ TO-262

TO-220F/TO-220F1

TO-251/TO-251L/TO-252

TO-126

Junction to Ambient

Junction to Case

θ_JA

TO-220/ TO-262

TO-220F/TO-220F1

TO-251/TO-251L/TO-252

TO-126

2.32

5.5

θ_Jc

2.87

3.12

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2 of 6

QW-R502-053.P

www.unisonic.com.tw

123 4 5 6

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与2N60G-TMA-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N60G-TMS2-T	UTC	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
2N60G-TMS4-T	UTC	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
2N60G-TMS-T	UTC	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
2N60G-TN3-R	UTC	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N60G-TN3-T	UTC	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N60G-TND-R	UTC	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格