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2N6089

更新时间: 2024-02-21 13:37:59
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其他 - ETC 晶体放大器晶体管
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1页 128K
描述
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

2N6089 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):0.03 A最小直流电流增益 (hFE):60
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):60 MHzBase Number Matches:1

2N6089 数据手册

  

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