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2N6099

更新时间： 2024-09-24 06:17:43

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管局域网
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3页	46K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6099 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors 2N6098 2N6099 2N6100 2N6101

DESCRIPTION

··With TO-220 package

APPLICATIONS

·For use in general-purpose amplifier

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6098

2N6099

2N6100

2N6101

2N6098

2N6099

2N6100

2N6101

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to case

MAX

UNIT

R_{th j-c}

1.67

℃/W

JMnic

12 3

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