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2N6078

更新时间： 2024-01-13 01:17:50

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	115K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6078 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	12
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N6078 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6077 2N6078 2N6079

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

275

250

350

TYP.

MAX

UNIT

2N6077

2N6078

2N6079

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=0.1A ;I_B=0

V_CEsat

V_BEsat

I_CEO

I_CEX

I_CBO

I_EBO

h_FE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=5A; I_B=0.5A

1.0

1.2

2.0

I_C=5A; I_B=0.5A

V_CE= Rated V_CEO; I_B=0

V_CE=Rated V_CEO; V_BE(off)=1.5V

T_C=125ꢀ

0.1

1.0

V_CB=Rated V_CBO; I_E=0

V_EB=6V; I_C=0

0.1

1.0

DC current gain

I_C=1.2A ; V_CE=1V

f_T

Transition frequency

I_C=0.5A;V_CE=10V;f=1MHz

MHz

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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