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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6042AN
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2N6042AN

更新时间： 2024-02-03 23:17:57
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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2N6042AN 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：75 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2N6042AN 数据手册

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2N6040 2N6042 2N6043 2N6045  
1.0  
0.7  
0.5  
D = 0.5  
0.3  
0.2  
0.2  
0.1  
P
(pk)  
θ
θ
(t) = r(t) θ  
JC  
JC  
JC  
= 1.67°C/W  
0.1  
0.07  
0.05  
0.05  
0.02  
D CURVES APPLY FOR POWER  
PULSE TRAIN SHOWN  
t
1
READ TIME AT t  
1
t
2
T
- T = P θ (t)  
J(pk)  
C
(pk) JC  
0.03  
0.02  
0.01  
DUTY CYCLE, D = t /t  
1 2  
SINGLE PULSE  
0.01  
0.01  
0.02 0.03 0.05  
0.1  
0.2 0.3 0.5  
1.0  
2.0 3.0 5.0  
10  
20 30  
50  
100  
200 300 500  
1000  
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)  
Figure 4. Thermal Response  
20  
10  
There are two limitations on the power handling ability of  
a transistor: average junction temperature and second  
100 µs  
breakdown. Safe operating area curves indicate I – V  
C
CE  
5.0  
500 µs  
1.0Ăms  
5.0Ăms  
limits of the transistor that must be observed for reliable  
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater  
dissipation than the curves indicate.  
2.0  
1.0  
0.5  
dc  
T = 150°C  
J
BONDING WIRE LIMITED  
THERMALLY LIMITED @ T = 25°C  
(SINGLE PULSE)  
SECOND BREAKDOWN LIMITED  
The data of Figure 5 is based on T  
variable depending on conditions. Second breakdown pulse  
= 150_C; T is  
J(pk)  
C
C
0.2  
0.1  
limits are valid for duty cycles to 10% provided T  
J(pk)  
may be calculated from the data in  
Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will  
reduce the power that can be handled to values less than the  
limitations imposed by second breakdown.  
CURVES APPLY BELOW RATED V  
CEO  
2N6040, 2N6043  
2N6045  
< 150_C.  
T
J(pk)  
0.05  
0.02  
1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
20 30  
50 70 100  
V
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
CE  
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area  
300  
10,000  
5000  
T = 25°C  
J
3000  
2000  
200  
1000  
500  
C
ob  
T
= 25°C  
= 4.0 Vdc  
= 3.0 Adc  
C
100  
300  
200  
V
CE  
I
C
C
ib  
70  
50  
100  
50  
PNP  
NPN  
30  
20  
PNP  
NPN  
10  
1.0  
30  
0.1  
2.0  
5.0 10  
20  
50 100 200  
500 1000  
0.2  
0.5  
1.0 2.0  
5.0 10  
20  
50 100  
f, FREQUENCY (kHz)  
V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
Figure 7. Capacitance  
Figure 6. Small–Signal Current Gain  
http://onsemi.com  
3
12345678

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