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2N5551G

更新时间： 2024-01-13 00:06:20
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安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 75K
描述
Amplifier Transistors

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2N5551G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.99最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2N5551G 数据手册

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2N5550, 2N5551  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
2N5550  
2N5551  
140  
160  
−
−
C
B
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0 )  
V
V
Vdc  
Vdc  
2N5550  
2N5551  
160  
180  
−
−
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
6.0  
−
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 100 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
2N5550  
2N5551  
2N5550  
2N5551  
−
−
−
−
100  
50  
100  
50  
nAdc  
CB  
E
(V = 120 Vdc, I = 0)  
CB  
E
(V = 100 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
mAdc  
CB  
E
A
(V = 120 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
CB  
E
A
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
I
−
50  
nAdc  
−
EBO  
EB  
C
ON CHARACTERISTICS (Note 1)  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 1.0 mAdc, V = 5.0 Vdc)  
2N5550  
2N5551  
60  
80  
−
−
C
CE  
(I = 10 mAdc, V = 5.0 Vdc)  
2N5550  
2N5551  
60  
80  
250  
250  
C
CE  
(I = 50 mAdc, V = 5.0 Vdc)  
2N5550  
2N5551  
20  
30  
−
−
C
CE  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
Both Types  
−
0.15  
C
B
(I = 50 mAdc, I = 5.0 mAdc)  
2N5550  
2N5551  
−
−
0.25  
0.20  
C
B
Base−Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
BE(sat)  
Both Types  
−
1.0  
C
B
(I = 50 mAdc, I = 5.0 mAdc)  
2N5550  
2N5551  
−
−
1.2  
1.0  
C
B
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current−Gain — Bandwidth Product  
f
100  
−
300  
6.0  
MHz  
pF  
T
(I = 10 mAdc, V = 10 Vdc, f = 100 MHz)  
C
CE  
Output Capacitance  
C
obo  
(V = 10 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
CB  
E
Input Capacitance  
C
ibo  
pF  
(V = 0.5 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
2N5550  
2N5551  
−
−
30  
20  
EB  
C
Small−Signal Current Gain  
h
fe  
50  
200  
−
(I = 1.0 mAdc, V = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
C
CE  
Noise Figure  
NF  
dB  
(I = 250 mAdc, V = 5.0 Vdc, R = 1.0 kW,  
f = 1.0 kHz)  
2N5550  
2N5551  
−
−
10  
8.0  
C
CE  
S
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
http://onsemi.com  
2
 
123456

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STM32F103C8T6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5551RLRMG ONSEMI

完全替代

 		600mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 P
2N5551RLRA ONSEMI

完全替代

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