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2N5210BU

更新时间： 2024-02-24 16:48:40

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安森美 - ONSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	209K
描述
Amplifier Transistors

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2N5210BU 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.25
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.62 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N5210BU 数据手册

NPN General Purpose Amplifier

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 1.0 mA, I_B= 0

I_C= 0.1 mA, I_E= 0

V_CB= 35 V, I_E= 0

V_EB= 3.0 V, I_C= 0

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_EBO

Emitter Cutoff Current

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain

200

250

600

I = 100 A, V_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 mA, V_CE= 5.0 V

I_C= 10 mA, V_CE= 5.0 V*

I_C= 10 mA, I_B= 1.0 mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

0.7

V_CE(sat)

V_BE(on)

I_C= 1.0 mA, V_CE= 5.0 V

0.85

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current Gain - Bandwidth Product

MHz

I_C= 500 A,V = 5.0 V,

f= 20 MHz

V_CB= 5.0 V, I_E= 0, f = 100 kHz

Collector-Base Capacitance

Small-Signal Current Gain

4.0

C_cb

h_fe

I_C= 1.0 mA, V_CE= 5.0 V,

f = 1.0 kHz

250

900

Noise Figure

2.0

3.0

I = 20 A, V_CE= 5.0 V,

R = 22 k , f = 10 Hz to 15.7 kHz

Ω

I = 20 A, V_CE= 5.0 V,

R = 10 k , f = 1.0 kHz

Ω

*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

1 234 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5210D26Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5210J05Z	FAIRCHILD	100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 3 PIN	获取价格
2N5210-J35Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210L34Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5210LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5210M1TA	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格