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2N5191

更新时间： 2024-01-13 08:35:20

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	68K
描述
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS

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2N5191 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N5191 数据手册

2N5191 / 2N5192

THERMAL DATA

R_thj-caseThermal Resistance Junction-case

R_thj-ambThermal Resistance Junction-ambient

Max

3.12

100

^oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_case= 25 ^oC unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Test Conditions

V_CB= rated V_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

I_CBO

Collector Cut-off

Current (I_E= 0)

0.1

I_CEX

I_CEO

I_EBO

Collector Cut-off

Current (V_BE= -1.5V)

V_CE= rated V_CEO

V_CE= rated V_CEOT_c= 125 C

0.1

Collector Cut-off

Current (I_B= 0)

V_CE= rated V_CEO

Emitter Cut-off Current V_EB= 5 V

(I_C= 0)

V_CEO(sus)Collector-Emitter

Sustaining Voltage

I_C= 100 mA

for 2N5191

for 2N5192

V_CE(sat)

Collector-Emitter

Saturation Voltage

I_C= 1.5 A

I_C= 4 A

I_B= 0.15 A

I_B= 1 A

0.6

1.4

V_BE

h_FE

Base-Emitter Voltage

DC Current Gain

I_C= 1.5 A

V_CE= 2 V

1.2

I_C= 1.5 A

for 2N5191

for 2N5192

I_C= 4 A

100

V_CE= 2 V

for 2N5191

for 2N5192

f_T

Transition frequency

I_C= 1 A

V_CE= 10 V

MHz

Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %

2/4

123 4

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