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2N5177

更新时间: 2024-02-13 19:39:25
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 32K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 4A I(C) | FO-85

2N5177 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):4 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):10最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):40 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2N5177 数据手册

  
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