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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.45 | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-72 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.18 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 650 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5181 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-104 |
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| 2N5182 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 4MA I(C) | TO-104 |
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| 2N5183 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N5183LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N5187 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-52 |
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| 2N5188 | NJSEMI | SILICON NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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