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2N5179

更新时间： 2024-02-12 16:07:19

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ADPOW		晶体晶体管射频微波放大器
页数	文件大小	规格书
5页	183K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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技术参数
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2N5179 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.73
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-72	JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1400 MHz
Base Number Matches：	1

2N5179 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

2N5179

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Silicon NPN, TO-72 packaged VHF/UHF Transistor

Low Noise, NF = 4.5 dB (max) @ 200 MHz

High Current-Gain-Bandwidth Product 1.4 Ghz (typ) @ 10

mAdc

1. Emitter

2. Base

3. Collector

4. Case

TO-72

Characterized with S-Parameters

DESCRIPTION:

The 2N5179 is a Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. It is ideal

for pre-driver, low noise amplifier, and oscillator applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

Vdc

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

Vdc

Thermal Data

P_D

Total Device Dissipation @ T_A= 25ºC

Derate above 25ºC

300

1.71

mW/ ºC

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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