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2N5088_J61Z

更新时间： 2024-01-16 17:21:33

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N5088_J61Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.62	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2N5088_J61Z 数据手册

2N5088

2N5089

MMBT5088

MMBT5089

TO-92

SOT-23

Mark: 1Q / 1R

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for low noise, high gain, general purpose

amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.

Absolute Maximum Ratings*

TA= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

4.5

2N5088

2N5089

2N5088

2N5089

V_CBO

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

100

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5088

2N5089

*MMBT5088

*MMBT5089

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25 C

625

5.0

350

2.8

mW/ C

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

357

R_θ

C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

2N5088/2N5089/MMBT5088/MMBT5089, Rev A

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2N5088_J61Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5088BU	FAIRCHILD	完全替代	NPN General Purpose Amplifier

与2N5088_J61Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5088-18	TI	获取价格	30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N5088-18F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
2N5088-18FLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
2N5088-18R	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
2N5088-5	MOTOROLA	获取价格	50mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5088-5	TI	获取价格	30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N5088-5F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5F, 3
2N5088-5T1	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1,
2N5088APP	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5088APPLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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