2N5088BU

更新时间： 2023-06-19 14:31:50

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安森美 - ONSEMI		放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	189K
描述
Low Noise NPN Bipolar Transistor, TO-92

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2N5088BU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.11
其他特性：	LOW NOISE	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2N5088BU 数据手册

UTC 2N5088/2N5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

DESCRIPTION

The device is designed for low noise, high gain, general

purpose amplifier applications at collector currents from

1µA to 50mA.

TO-92

1:EMITTER 2:BASE 3:COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS ^{(TA=25°C, unless otherwise noted)}

RATING

Collector-Emitter voltage

Collector-Base voltage

Emitter-base voltage

SYMBOL

VCEO

VCBO

VEBO

2N5088

2N5089

UNIT

°C

4.5

100

Collector current-continuous

Operating and Storage

Junction Temperature Range

Tj, Tstg

-55 ~ +150

Note 1: These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

Note 2: These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty

cycle operations.

THERMAL CHARACTERISTICS (TA=25°C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

SYMBOL

P_D

MAX

625

83.3

200

UNIT

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to

Ambient

RθJC

RθJA

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R201-040,A

12 3 4 5 6

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2N5088BU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5088TA	ONSEMI	完全替代	Low Noise NPN Bipolar Transistor, TO-92
2N5088	ONSEMI	完全替代	Amplifier Transistor(NPN Silicon)
MPS6717	ONSEMI	类似代替	One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon)

与2N5088BU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5088D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5088D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5088D74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5088D75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5088G	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5088G-T92-B	UTC	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5088G-T92-K	UTC	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5088G-T92-R	UTC	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5088IUTA	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5088J05Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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