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2N4402-AP

更新时间： 2024-02-26 14:04:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 273K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2N4402-AP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

2N4402-AP 数据手册

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M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
2N4402  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
This device is designed for use as general purpose amplifiers and  
switches requiring collector currents to 500mA  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking:Type number  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P" Suffix designates  
PNP General  
Purpose Amplifier  
·
·
·
•
Compliant. See ordering information)  
Maximum Ratings*  
TO-92  
Symbol  
Rating  
Rating  
40  
40  
5.0  
600  
Unit  
V
V
A
E
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, Continuous  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
mA  
OC  
OC  
B
TJ  
TSTG  
-55 to +150  
-55 to +150  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Rating  
Max  
Unit  
PD  
Total Device Dissipation  
625  
5.0  
83.3  
200  
mW  
Derate above 25OC  
mW/OC  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
OC/W  
OC/W  
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(I =1.0mAdc, I =0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
40  
5.0  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
D
C
B
(I =100ì Adc, IE=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =100ì Adc, IC=0)  
E
E
E
B
B
C
I
Collector Cutoff Current  
(VCE=35Vdc, VEB=0.4Vdc)  
Base Cutoff Current  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
CEX  
C
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
G
IBL  
(VCE=35Vdc, VEB=0.4Vdc)  
DIMENSIONS  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
Notes: 1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150  
degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on  
applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
E
Straight Lead  
Bent Lead  
G
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 5  
Revision: D  
2013/01/01  
12345

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