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2N4401

更新时间： 2024-02-29 04:07:15

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTORS NPN

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2N4401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	VCEsat-Max：	0.75 V
Base Number Matches：	1

2N4401 数据手册

ADVANCED INFORMATION

2N4401

SMALL SIGNAL TRANSISTORS (NPN)

TO-92

FEATURES

¨ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

0.142 (3.6)

0.181 (4.6)

for switching and amplifier applications.

¨ As complementary type, the PNP

transistor 2N4403 is recommended.

¨ On special request, this transistor is

also manufactured in the pin

configuration TO-18.

¨ This transistor is also available in the

SOT-23 case with the type designation

MMBT4401

max.Æ 0.022 (0.55)

0.098 (2.5)

MECHANICAL DATA

Case: TO-92 Plastic Package

Weight: approx. 0.18g

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND THERMAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25¡C ambient temperature unless otherwise specified

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Volts

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current-Continuous

600

Power Dissipation at T_A=25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

P_tot

Power Dissipation at T_C=25°C

Derate above 25°C

1.5

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

Thermal Resistance Junction to Case

Junction Temperature

R_QJA

R_QJC

T_j

200

83.3

°C/W

¡C/W

¡C

150

Storage Temperature Range

T_S

Ð55 to +150

¡C

2/17/99

12 3

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