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2N4392

更新时间： 2024-01-10 09:53:00

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SEME-LAB		晶体开关晶体管
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2页	19K
描述
JFET SWITCHING N CHANNEL- DEPLETION

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2N4392 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	0.15 A
最大漏源导通电阻：	60 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	3.5 pF	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N4392 数据手册

2N4392

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

JFET SWITCHING

N CHANNEL- DEPLETION

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

FEATURES

• LOW ON RESISTANCE

• FAST SWITCHING

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

dia.

• MILITARY OPTIONS AVAILABLE

2.54 (0.100)

Nom.

APPLICATIONS:

• SWITCHING APPLICATIONS

TO–18 METAL PACKAGE

Underside View

PIN 1 – Source

PIN 2 – Drain

PIN 3 – Gate

(Gate is connected to case)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

Gate–Source Voltage

Forward Gate Current

40V

50mA

Total Device Dissipation @ T = 25°C

1.8W

Derate above 25°C

10mW/ °C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

–65 to +175°C

STG

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 5/99

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