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2N4398

更新时间： 2024-02-20 06:47:12

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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技术参数
数据手册

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2N4398 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.74
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N4398 数据手册

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Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N4398 2N4399 2N5745

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N5301/5302/5303

·Low collector saturation voltage

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·For use in power amplifier and switching

circuits applications.

PINNING

PIN

1

DESCRIPTION

Base

2

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

3

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

2N4398

CONDITIONS

VALUE

-40

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Open emitter

V

2N4399

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

-60

-80

-40

V_CEO

Open base

V

-60

-80

V_EBO

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

V

A

2N4398/4399

2N5745

-30

I_C

-20

I_B

P_D

T_j

Base current

-7.5

200

200

-65~200

A

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

W

℃

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

0.875

℃/W

12 3

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与2N4398相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N4398E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N4399	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(200W)	获取价格
2N4399	BOCA	PNP SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS	获取价格
2N4399	MICROSEMI	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N4399	COMSET	SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N4399	NJSEMI	PNP SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS	获取价格

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