是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.7 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最大漏源导通电阻: | 100 Ω | FET 技术: | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss): | 5 pF | JESD-30 代码: | R-CDSO-N6 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N4395 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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2N4396 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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2N4397 | ETC | NPN |
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2N4398 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(200W) |
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2N4398 | BOCA | PNP SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
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2N4398 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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