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2N4235

更新时间： 2024-01-26 23:46:05

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美高森美 - MICROSEMI		晶体放大器晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

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2N4235 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2N4235 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 580

Devices

Qualified Level

JAN

2N4234

2N4235

2N4236

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N4234 2N4235 2N4236 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

I_B

P_T

7.0

1.0

Base Current

Total Power Dissipation

0.5

1.0

6.0

TO-39*

(TO-205AD)

@T_A= 25⁰C⁽¹⁾

@T_C= 25⁰C⁽²⁾

Operating & Storage Junction Temperature

-65 to +200

⁰C

T_J_,T

stg

1) Derate linearly 5.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 34 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N4234

2N4235

2N4236

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 40 Vdc

1.0

2N4234

2N4235

2N4236

mAdc

I_CEO

V_CE= 60 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 40 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 40 Vdc

100

2N4234

2N4235

2N4236

I_CEX

hAdc

100

2N4234

2N4235

2N4236

I_CBO

hAdc

V_CE= 60 Vdc

V_CE= 80 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 7.0 Vdc

mAdc

I_EBO

0.5

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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