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2N4124/E6

更新时间： 2024-01-14 09:53:19

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4页	187K
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BJT

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2N4124/E6 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2N4124/E6 数据手册

2N4124

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Electrical Characteristics(T_J= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

V_{CE =}1 V, I_C= 2.0 mA

V_{CE =}1 V, I_C= 50 mA

120

—

360

—

DC Current Gain

h_FE

—

Collector-Base Cutoff Current

Emitter-Base Cutoff Current

Collector Saturation Voltage

Base Saturation Voltage

I_CBO

I_EBO

V_CB= 20 V

V_EB= 3 V

—

V_CEsat

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

I_C= 1 mA

0.3

0.95

—

V_BEsat

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

V(_BR)CEO

V(_BR)CBO

V(_BR)EBO

I_C= 10 µA

—

I_E= 10 µA

—

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA

f = 50 MHz

Gain-Bandwidth Product

f_T

—

200

—

MHz

Collector-Base Capacitance

C_CBO

V_CB= 10 V, f = 1MHz

Ratings and

Characteristic Curves(T_A= 25°C unless otherwise noted)

www.vishay.com

Document Number 88115

07-May-02

123 4

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与2N4124/E6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N4124/E7	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-226AA	获取价格
2N4124/J18Z	TI	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N4124_01	FAIRCHILD	NPN General Purpose Amplifier	获取价格
2N4124-18	MOTOROLA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
2N4124-18F	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,	获取价格
2N4124-18R	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,	获取价格