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2N3904

更新时间： 2024-11-23 22:35:51
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
NPN General Purpose Transistor

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2N3904 数据手册

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UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
CEO  
C
1) BV > 40V (I = 1mA)  
2.0±0.2  
0.9±0.1  
0.7±0.1  
1.3±0.1  
UMT3904  
2) Complements the UMT3906 / SST3906 / MMST3906  
/ 2N3906.  
0.65 0.65  
(1) (2)  
0.2  
0~0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(3)  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
+0.1  
−0  
0.3  
0.15±0.05  
All terminals have same dimensions  
2.9±0.2  
+0.2  
0.95  
SST3904  
−0.1  
0.45±0.1  
1.9±0.2  
!Package, marking and packaging specifications  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0~0.1  
0.2Min.  
Part No.  
Packaging type  
Marking  
UMT3904 SST3904 MMST3904  
2N3904  
TO-92  
-
UMT3  
R1A  
SST3  
R1A  
SMT3  
R1A  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(3)  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.05  
−0.06  
ROHM : SST3  
MMST3904  
0.4  
T106  
T116  
T146  
T93  
Code  
Basic ordering unit  
(pieces)  
All terminals have same dimensions  
3000  
3000  
3000  
3000  
2.9±0.2  
+0.2  
1.1  
−0.1  
1.9±0.2  
0.8±0.1  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0~0.1  
(3)  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
+0.1  
0.15  
−0.06  
+0.1  
−0.05  
0.4  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
V
All terminals have same dimensions  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
40  
V
4.8±  
0.2  
3.7±0.2  
2N3904  
6
V
I
C
0.2  
A
UMT3904,  
0.2  
W
SST3904,  
Collector  
power  
MMST3904  
+
0.15  
PC  
0.5  
2.5  
−
0.05  
dissipation  
W
W
SST3904, MMST3904  
2N3904  
0.35  
0.625  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
*
ROHM : TO-92  
EIAJ : SC-43  
(1) (2) (3)  
5
+
0.3  
−
0.1  
0.45±  
0.1  
2.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
150  
°C  
°C  
−55~+150  
When mounted on a 7 x 5 x 0.6 mm ceramic board.  
*
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
60  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
I
I
I
C
C
E
= 10µA  
= 1mA  
40  
6
-
V
= 10µA  
CB = 30V  
EB = 3V  
I
CES  
-
50  
50  
0.2  
0.3  
0.85  
0.95  
nA  
nA  
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
-
-
I
I
I
I
C/I  
C/I  
C/I  
C
/I  
B
B
B
B
= 10mA/1mA  
= 50mA/5mA  
= 10mA/1mA  
= 50mA/5mA  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
-
0.65  
-
V
40  
70  
100  
60  
30  
300  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
C
C
C
C
C
= 0.1mA  
= 1mA  
DC current transfer ratio  
h
FE  
300  
-
-
= 10mA  
= 50mA  
= 100mA  
~
-
-
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Emitter input capacitance  
Delay time  
fT  
MHz  
pF  
pF  
ns  
V
V
V
V
V
V
V
CE = 20V , IE = −10mA, f = 100MHz  
CB = 10V , f = 100kHz  
Cob  
Cib  
td  
4
-
8
EB = 0.5V , f = 100kHz  
CC = 3V , VBE(OFF) = 0.5V , I  
CC = 3V , VBE(OFF) = 0.5V , I  
-
35  
35  
200  
50  
C
C
= 10mA , IB1 = 1mA  
= 10mA , IB1 = 1mA  
Rise time  
tr  
-
ns  
Storage time  
tstg  
tf  
-
ns  
CC = 3V , I  
CC = 3V , I  
C
= 10mA , IB1 = −IB2 = 1mA  
= 10mA , IB1 = −IB2 = 1mA  
Fall time  
-
ns  
C
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3904/D10Z TI

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 		200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3904/D10Z-5 TI

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