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2N3879

更新时间： 2024-02-18 09:58:25

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3879 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	75 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	12
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2N3879 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N3879

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

V_BEsat

I_CEV

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage I_C=0.2A ; I_B=0

Collector-emitter saturation voltage I_C=4A; I_B=0.4A

1.2

2.0

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=4A; I_B=0.4A

V_CE=120V;V_BE(off)=1.5V

V_CE=100V;V_BE(off)=1.5V T_C=150℃

0.5

4.0

I_CEO

V_CE=40V; I_B=0

5.0

1.0

100

I_EBO

V_EB=7V; I_C=0

h_FE-1

I_C=4A ; V_CE=2V

I_C=4A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=5V

I_E=0 ; V_CB=10V; f=1MHz

h_FE-2

DC current gain

h_FE-3

DC current gain

C_OB

Collector output capacitance

175

123

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