2N3763L

更新时间： 2024-02-01 12:59:22

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	64K
描述
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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2N3763L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1 W	最大功率耗散 (Abs)：	4 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	115 ns
最大开启时间（吨）：	11.5 ns	VCEsat-Max：	0.9 V
Base Number Matches：	1

2N3763L 数据手册

2N3762, L, 2N3763, L, 2N3764, 2N3765 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

Collector-Emitter Cutoff Current

Symbol

Min.

Max.

Unit

100

hAdc

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 20 Vdc

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 30 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 2.0 Vdc

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

I_CEX

200

All Types

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

hAdc

mAdc

I_EBO

V_EB= 5.0 Vdc

ON CHARACTERISTICS (3)

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 10 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc

I_C= 150 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc

I_C= 500 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 1.5 Vdc

140

120

h_FE

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

I_C= 1.5 Adc, V_CE= 5.0 Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10 mAdc, I_B= 1.0 mAdc

I_C= 150 m Adc, I_B= 15 mAdc

I_C= 500 mAdc, I_B= 50 mAdc

I_C= 1.0 Adc, I_B= 100 mAdc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10 mAdc, I_B= 1.0 mAdc

I_C= 150 m Adc, I_B= 15 mAdc

I_C= 500 mAdc, I_B= 50 mAdc

I_C= 1.0 Adc, I_B= 100 mAdc

0.1

0.22

0.5

V_CE(sat)

Vdc

0.9

0.8

1.0

1.2

1.4

V_BE(sat)

0.9

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Forward Current Transfer Ratio, Magnitude

I_C= 50 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 100 MHz

1.8

1.5

6.0

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

½h_fe½

Output Capacitance

V_CB= 10 Vdc, I_E= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

Input Capacitance

C_obo

C_ibo

V_EB= 0.5 Vdc, I_C= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

SWITCHING CHARACTERISTICS

V_CC= 30 Vdc, V_EB= 0,

^td

^tr

^ts

^tf

Delay Time

8.0

Rise Time

I_C= 1.0 mAdc, I_B1= 100 mAdc

Storage Time

V_CC= 30 Vdc, V_EB= 0,

Fall Time

I_C= 1.0 mAdc, I_B1= 100 mAdc

(3) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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2N3763L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N3763L	MICROSEMI	功能相似	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3763L	MICROSEMI	功能相似	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JAN2N3763L	MICROSEMI	功能相似	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

与2N3763L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3763LE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, T
2N3763LEADFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
2N3764	SEMICOA	获取价格	Type 2N3764 Geometry 6706 Polarity PNP
2N3764	MICROSEMI	获取价格	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
2N3764	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N3764	NJSEMI	获取价格	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
2N3764E3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206A
2N3765	NJSEMI	获取价格	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
2N3765	SEMICOA	获取价格	Type 2N3765 Geometry 6706 Polarity PNP
2N3765	MICROSEMI	获取价格	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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