| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.625 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3415TRB | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3415TRD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3415TRELEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3415TRF | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3415TRG | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3415TRH | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3415_01 | FAIRCHILD |
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NPN General Purpose Amplifier |
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| 2N3415_D26Z | ONSEMI |
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元器件封装:TO-92-3; |
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| 2N3415_D27Z | ONSEMI |
获取价格 |
元器件封装:TO-92-3; |
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| 2N3415_D74Z | ONSEMI |
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TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 |
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