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2N3055

更新时间： 2024-02-01 09:14:16

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POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS

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2N3055 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

2N3055 数据手册

2N3055

POWER LINEAR AND SWITCHING

APPLICATIONS

The 2N3055 is a silicon epitaxial-base NPN transistor in JEDEC TO-3 metal case.

It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages

and high fidelity amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

100

Unit

Collector to Base Voltage

#Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_CER

V_EBO

I_C

Collector Current – Continuous

Base Current – Continuous

Adc

I_B

115

Watts

@ T_C= 25°

Total Device Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P_D

T_J

T_S

Derate above 25°

0.657

W/°C

200

°C

-65 to

+200

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

R_thJC

1.52

°C/W

COMSET SEMICONDUCTORS

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3055/5	ETC	NPN	获取价格
2N3055/6	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3	获取价格
2N3055/7	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3	获取价格
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