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2N2857C1B-JQRS.GRPC

更新时间： 2024-01-12 18:01:39
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 200K
描述
SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR

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2N2857C1B-JQRS.GRPC 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.04 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N2857C1B-JQRS.GRPC 数据手册

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SILICON RF SMALL SIGNAL  
NPN TRANSISTOR  
2N2857C1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)  
A
Symbols  
Parameters  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
V
(1)  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
I
= 3mA  
= 15V  
I = 0  
B
15  
(BR)CEO  
C
V
I = 0  
E
10  
1.0  
1.0  
100  
10  
nA  
CB  
I
T
= 150°C  
Collector-Cut-Off Current  
CBO  
A
µA  
V
V
V
I
= 30V  
= 16V  
= 3V  
I = 0  
E
CB  
CE  
EB  
I
I = 0  
B
Collector-Cut-Off Current  
Emitter-Cut-Off Current  
nA  
µA  
CES  
I
I = 0  
C
EBO  
= 3mA  
V
T
= 1.0V  
30  
10  
150  
C
CE  
= -55°C  
(1)  
Forward-current transfer  
ratio  
h
FE  
A
(1)  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
Base-Emitter Saturation  
Voltage  
V
I
I
= 10mA  
= 10mA  
I = 1.0mA  
B
0.4  
1.0  
CE(sat)  
C
C
V
(1)  
V
I = 1.0mA  
B
BE(sat)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
I
= 5mA  
V
V
= 6V  
= 6V  
C
CE  
CE  
Small signal forward-current  
transfer ratio  
| h  
|
10  
50  
21  
220  
1.0  
15  
fe  
f = 100MHz  
= 2mA  
I
C
h
Small Signal Current Gain  
fe  
f = 1.0KHz  
= 10V  
V
I = 0  
E
CB  
Collector – Base Feedback  
Capacitance  
C
pF  
ps  
cb  
f = 1.0MHz  
I = 2mA  
E
V
= 6V  
CB  
(2)  
Collector Base Time  
Constant  
r ’C  
b
4
C
f = 31.9MHz  
V
= 6V  
I
= 1.5mA  
CE  
f = 450MHz  
= 6V  
C
G
Small Signal Power Gain  
Noise Figure  
12.5  
pe  
dB  
V
I
= 1.5mA  
C
CE  
f = 450MHz  
NF (2)  
4.5  
R
= 50Ω  
G
Notes  
(1) Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%  
(2) By design only, not a production test.  
Semelab Limited  
Telephone +44 (0) 1455 556565  
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB  
Document Number 7726  
Issue 1  
Fax +44 (0) 1455 552612  
Email: sales@semelab-tt.com  
Website: http://www.semelab-tt.com  
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与2N2857C1B-JQRS.GRPC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N2857CSM SEME-LAB

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 		HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR H
2N2857CSM_10 SEME-LAB

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 		SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
2N2857DCSM SEME-LAB

获取价格

 		Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed
2N2857LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
2N2857UB SEMICOA

获取价格

 		Type 2N2857UB Geometry 0011 Polarity NPN
2N2857UB_02 SEMICOA

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 		Silicon NPN Transistor
2N2857UBE3 MICROSEMI

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor,
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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 P
2N2859 APITECH

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3

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