是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.38 | 配置: | SINGLE |
最大漏源导通电阻: | 800 Ω | FET 技术: | JUNCTION |
JEDEC-95代码: | TO-5 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Small Signal |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2499 | ETC | TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | TO-5 |
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2N250 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3 |
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2N2500 | TI | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-5 |
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2N2501 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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2N2501LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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2N2503 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 50V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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