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2N2222A

更新时间： 2024-01-05 15:56:24

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恩智浦 - NXP		晶体开关晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
8页	55K
描述
NPN switching transistors

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技术参数
数据手册

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2N2222A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2222A 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN switching transistors

2N2222; 2N2222A

CHARACTERISTICS

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN. MAX. UNIT

I_CBO

collector cut-off current

2N2222

I_E= 0; V_CB= 50 V

−

I_E= 0; V_CB= 50 V; T_amb= 150 °C

µA

I_CBO

collector cut-off current

2N2222A

I_E= 0; V_CB= 60 V

−

µA

I_E= 0; V_CB= 60 V; T_amb= 150 °C

I_C= 0; V_EB= 3 V

−

I_EBO

h_FE

emitter cut-off current

DC current gain

−

I_C= 0.1 mA; V_CE= 10 V

100

I_C= 1 mA; V_CE= 10 V

−

I_C= 10 mA; V_CE= 10 V

−

I_C= 150 mA; V_CE= 1 V; note 1

I_C= 150 mA; V_CE= 10 V; note 1

I_C= 10 mA; V_CE= 10 V; T_amb= −55 °C

−

300

h_FE

DC current gain

2N2222A

−

h_FE

DC current gain

2N2222

I_C= 500 mA; V_CE= 10 V; note 1

−

2N2222A

V_CEsat

V_BEsat

collector-emitter saturation voltage

2N2222

I_C= 150 mA; I_B= 15 mA; note 1

I_C= 500 mA; I_B= 50 mA; note 1

−

400

1.6

collector-emitter saturation voltage

2N2222A

I_C= 150 mA; I_B= 15 mA; note 1

I_C= 500 mA; I_B= 50 mA; note 1

−

300

base-emitter saturation voltage

2N2222

I_C= 150 mA; I_B= 15 mA; note 1

I_C= 500 mA; I_B= 50 mA; note 1

−

1.3

2.6

base-emitter saturation voltage

2N2222A

I_C= 150 mA; I_B= 15 mA; note 1

I_C= 500 mA; I_B= 50 mA; note 1

I_E= i_e= 0; V_CB= 10 V; f = 1 MHz

I_C= i_c= 0; V_EB= 500 mV; f = 1 MHz

0.6

−

1.2

C_c

C_e

collector capacitance

emitter capacitance

2N2222A

−

f_T

transition frequency

2N2222

I_C= 20 mA; V_CE= 20 V; f = 100 MHz

250

300

−

MHz

2N2222A

noise ﬁgure

I_C= 200 µA; V_CE= 5 V; R_S= 2 kΩ;

f = 1 kHz; B = 200 Hz

2N2222A

−

1997 May 29

1 2 345 6 7 8

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与2N2222A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2222A/TR	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A	获取价格
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