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2N2222A

更新时间： 2024-01-27 04:49:16

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恩智浦 - NXP		晶体开关晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
8页	55K
描述
NPN switching transistors

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技术参数
数据手册

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2N2222A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2222A 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN switching transistors

2N2222; 2N2222A

FEATURES

PINNING

• High current (max. 800 mA)

• Low voltage (max. 40 V).

DESCRIPTION

emitter

base

APPLICATIONS

collector, connected to case

• Linear amplification and switching.

DESCRIPTION

handbook, halfpage

NPN switching transistor in a TO-18 metal package.

PNP complement: 2N2907A.

MAM264

Fig.1 Simplified outline (TO-18) and symbol.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_CBO

collector-base voltage

2N2222

open emitter

open base

−

2N2222A

V_CEO

collector-emitter voltage

2N2222

−

2N2222A

I_C

collector current (DC)

total power dissipation

DC current gain

transition frequency

2N2222

800

500

−

P_tot

h_FE

f_T

_amb≤ 25 °C

I_C= 10 mA; V_CE= 10 V

I_C= 20 mA; V_CE= 20 V; f = 100 MHz

250

300

−

MHz

2N2222A

−

t_off

turn-off time

I_Con= 150 mA; I_Bon= 15 mA; I_Boff= −15 mA

250

1997 May 29

123 4 5 6 7 8

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与2N2222A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2222A/TR	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A	获取价格
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2N2222AB	MICROSEMI	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON	获取价格
2N2222A-B	MCC	Transistor	获取价格
2N2222AB-#	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PAC	获取价格