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2DI30M-050

更新时间： 2024-01-29 23:37:55

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体电源电路晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	140K
描述
TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| DARLINGTON \| 450V V(BR)CEO \| 30A I(C)

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2DI30M-050 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	2 BANKS, DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JESD-30 代码：	R-PUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2DI30M-050 数据手册

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2DI50A120	ETC	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| DARLINGTON \| 1.2KV V(BR)CEO \| 50A I(C)	获取价格
2DI50A-120	FUJI	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy	获取价格
2DI50A140	ETC	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| DARLINGTON \| 1.4KV V(BR)CEO \| 50A I(C)	获取价格

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