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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1400 V | 配置： | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | 最大降落时间（tf）： | 3000 ns |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 3000 ns |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2DI50D050 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 50A I(C) |
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| 2DI50D-050 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI50D-050A | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI50D055A | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 50A I(C) |
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| 2DI50D100 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
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| 2DI50D-100 | FUJI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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